[发明专利]一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201410811996.4 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104559797A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;顾忠华;龚桦;邹春莉;罗桂海;王鑫;陈高攀 | 申请（专利权）人： | 深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法，属于化学机械抛光(CMP)技术领域。本发明组合物包括酸性二氧化硅溶胶、二醇化合物、硫脲类化合物、碱性化合物、盐、表面活性剂和去离子水。本发明不仅能消除粗抛后表面缺陷的同时，降低粗抛过程中产生的应力，提高表面精度；同时抛光速率接近于硅晶片粗抛光液的抛光速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶片细抛光组合物，其特征在于，所述组合物包括以下组分及含量：10重量％至50重量％的酸性二氧化硅溶胶；0.01重量％至1重量％的一种或多种二醇化合物；0.1重量％至1重量％的一种硫脲类化合物；0.5重量％至5重量％的一种或多种碱性化合物；0.01重量％至3重量％的一种盐；0.001重量％至0.05重量％的一种表面活性剂；去离子水余量。
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