[发明专利]稳压二极管及其加工工艺在审
| 申请号： | 201410812041.0 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104659110A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张淑云 | 申请（专利权）人： | 天津天物金佰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种稳压二极管及其加工工艺，稳压二极管芯片工艺设计使用N/N-双外延片，钝化层包括由下到上依次设置的二氧化硅、磷硅玻璃和氮化硅，磷硅玻璃厚度为3000埃，掺磷2％；工艺中采用PECVD工艺，用光刻胶替代传统工艺中的紫外高分子聚合塑料膜。本发明稳压二极管芯片采用双外延层结构制作工艺技术，简化工艺步骤，降低生产成本，同时提高器件性能；用光刻胶替代传统工艺中的紫外高分子聚合塑料膜，降低成本同时保护环境。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压二极管 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种稳压二极管，其特征在于:包括由下到上依次顺序设置的背面银电极层、衬底N+、外延层N和薄外延层N‑，所述薄外延层N‑的中部及所述外延层N的中部靠近上表面的部分扩散有稳压井，所述稳压井外侧的薄外延层N‑上方设有氧化层，所述氧化层上方及所述氧化层内侧的稳压井上方的一部分设有钝化层，钝化层包括由下到上依次设置的二氧化硅、磷硅玻璃和氮化硅，磷硅玻璃厚度为3000埃，掺磷2％，由薄外延层N‑上未被钝化层覆盖的部分向上一直扩展到氧化层上方的钝化层的一部分上设有正面银台电极。
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