[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN接触层过孔对后继的铟柱成球工艺的不利影响；另外，侧边接触减小了金属接触面积，从而降低了金属漏电。

主权项

一种半导体器件，包括半导体X线探测器的像素单元，其特征在于包括：硅基二极管阵列基板和读出电路阵列基板，其通过铟焊料球键合连接；所述读出电路阵列基板上形成有读出电路，第一钝化层以及第一UBM；所述硅基二极管阵列基板上形成有背面N+接触层，正面P+层，其中，所述背面N+接触层与所述正面P+层之间的所述硅基二极管阵列基板部分为本征层，从而形成了硅基PIN二极管；硅基二极管阵列基板的正面P+层之上还形成有氧化层，PIN接触层，第二钝化层以及第二UBM；其中，所述第二UNM包括与所述PIN接触层直接接触的位于所述第二钝化层之中的铟过孔；所述PIN接触层包括上下两部分：与所述铟过孔直接接触的PIN接触层基座以及与所述正面P+层直接接触的PIN接触层过孔；所述PIN接触层过孔位于所述像素单元的侧边，其与所述铟过孔不位于同一区域，并无交叠。