[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410812472.7 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104466671A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 姚南;赵懿昊;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器，所述半导体激光器由下至上依次包括：衬底、材料生长缓冲层、N型包层、有源区、P型包层和电极接触层，其中：有源区为量子阱区；半导体激光器的两端形成有光非吸收窗口，其中，光非吸收窗口的宽度为50～100μm，深度至少大于电极接触层、P型包层以及有源区的厚度之和。本发明同时还公开了一种半导体激光器的制备方法。本发明通过在激光器腔面上形成光非吸收窗口来提高半导体激光器的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器由下至上依次包括：衬底、材料生长缓冲层、N型包层、有源区、P型包层和电极接触层，其中：所述有源区为量子阱区；所述半导体激光器的两端形成有光非吸收窗口，其中，所述光非吸收窗口的宽度为50～100μm，深度至少大于所述电极接触层、P型包层以及有源区的厚度之和。
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