[发明专利]具有半绝缘场板的功率半导体器件在审
| 申请号： | 201410814788.X | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733514A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伊夫蒂哈尔·阿迈德;伍震威 | 申请（专利权）人： | 港科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;顾丽波 |
| 地址： | 中国香港清水湾香港科技*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件，其包括形成在半导体衬底的第一衬底表面上的第一金属电极和第二金属电极、将所述第一金属电极和所述第二金属电极进行互连的半绝缘场板、以及在所述第一金属电极和所述第二金属电极之间以及在所述场板和所述半导体衬底之间延伸的绝缘氧化层，其中所述半绝缘场板为氮化钛(TiN)场板。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括：形成在半导体衬底的第一衬底表面上的第一金属电极和第二金属电极、将所述第一金属电极和所述第二金属电极进行互连的半绝缘场板、以及在所述第一金属电极和所述第二金属电极之间以及在所述场板和所述半导体衬底之间延伸的绝缘氧化层，其中所述半绝缘场板为氮化钛(TiN)场板。
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