[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201410815104.8 申请日: 2009-04-21
公开(公告)号: CN104589738A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 饭田裕一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: B32B18/00 分类号: B32B18/00;H05K1/02;H05K1/11;H05K1/18;H05K3/46;H01L23/13;H01L23/538
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 金明花
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 使具有空腔的多层陶瓷基板薄型化时,因为规定空腔的底面的底壁部薄型化,所以存在该底壁部容易破损的问题。多层陶瓷基板(1)的规定空腔(3)的底壁部(4)形成高热膨胀系数层(6)被第一低热膨胀系数层(7)和第二低热膨胀系数层(8)夹住的层叠结构。根据这种构成,在烧成后的冷却过程中,在低热膨胀系数层(7、8)中会产生压缩应力,其结果是,可提高底壁部(4)处的机械强度。
搜索关键词: 多层 陶瓷 及其 制造 方法
【主权项】:
一种多层陶瓷基板,该多层陶瓷基板是包括由具有空腔形成用通孔的第一陶瓷层构成的周壁部和由不具有所述空腔形成用通孔的第二陶瓷层构成的底壁部的、带空腔的多层陶瓷基板,其特征在于,在所述底壁部配置有包括热膨胀系数相对较高的高热膨胀系数层和热膨胀系数相对较低的低热膨胀系数层在内的至少2种陶瓷层作为所述第二陶瓷层,且形成所述高热膨胀系数层的至少一部分被所述第一低热膨胀系数层和所述第二低热膨胀系数层夹住的层叠结构,所述底壁部的朝向外侧的面由所述第一低热膨胀系数层形成,所述底壁部的与所述周壁部相接的面由所述第二低热膨胀系数层形成,所述底壁部还包括以与所述第二低热膨胀系数层接触的状态配置的第一层间约束层作为所述第二陶瓷层,所述第一层间约束层包含在能使所述低热膨胀系数层所含的陶瓷材料烧结的烧成条件下实质上不烧结的无机材料粉末,且处于所述无机材料粉末因所述低热膨胀系数层所包含的材料的浸透而固化的状态,所述第一层间约束层处于被第二低热膨胀系数层夹住的状态,在所述周壁部配置有具有比所述第二低热膨胀系数层高的热膨胀系数的高热膨胀系数层,并且在其最外层配置有热膨胀系数相对较低的第三低热膨胀系数层。
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