[发明专利]一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构在审
| 申请号： | 201410816032.9 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104466679A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李占国;尤明慧;乔忠良;王勇;高欣;刘国军;曲轶;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构，其基本思想是采用InAsSb量子点，在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入1.3µm和1.5µm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层，这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离，同时，大大地增加了量子点发光的捕获效率，使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控，加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 通信 波段 密度 位置 可控 三维 inassb 量子 结构 | ||
【主权项】：
一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构包括：n型GaAs图形衬底(1)；AlGaAs超晶格层(2)；InAsSb量子点(3) ；GaSb覆盖层(4)；衬底(1)为(111) B取向、Si掺杂浓度1‑2×1018cm‑3的GaAs晶体材料；AlGaAs/GaAs层(2)，生长温度540℃，非故意掺杂，浓度为5×017cm‑3，AlGaAs生长50nm，GaAs生长30nm，共生长10个周期；InAsSb量子点(3)，生长温度540℃，采用p型掺杂，浓度为7×1017cm‑3；覆盖层约为50nm的非均匀厚度的GaAs层(4)，生长温度540℃，非故意掺杂。
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