[发明专利]带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备在审
| 申请号： | 201410816270.X | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104498903A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 丁波;李轶;陈瀚;侯金松 | 申请（专利权）人： | 上海微世半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 201413 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备，包括化学沉积辅助装置、沉积装置及氯化氢清洗装置，其中，所述化学沉积辅助装置包括用于化学沉积的多种特气源、化学沉积气源通气管路及进气控制装置，所述进气控制装置设置在所述化学沉积气源通气管路上用于控制化学沉积气体的进气及流量；所述氯化氢清洗装置包括用于清洗的氯化氢特气源、氯化氢通气管路及控制阀装置，所述控制阀装置设置在所述氯化氢通气管路上用于控制氯化氢气体的进气及流量；所述氯化氢通气管路的一端与氯化氢特气源相连，所述氯化氢通气管路的另一端与设置在所述进气控制装置前端的化学沉积气源通气管路相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 氯化氢 清洗 功能 低压 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备，包括化学沉积辅助装置及沉积装置，所述化学沉积辅助装置包括化学沉积气源、化学沉积气源通气管路及进气控制装置，所述进气控制装置设置在所述化学沉积气源通气管路上用于控制化学沉积气体的进气及流量，其特征在于：还包括一氯化氢清洗装置，所述氯化氢清洗装置包括用于清洗的氯化氢特气源、氯化氢通气管路及控制阀装置，所述控制阀装置设置在所述氯化氢通气管路上用于控制氯化氢气体的进气及流量；所述氯化氢通气管路的一端与氯化氢特气源相连，所述氯化氢通气管路的另一端与设置在所述进气控制装置前端的化学沉积气源通气管路相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微世半导体有限公司，未经上海微世半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410816270.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
