[发明专利]采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法在审
| 申请号： | 201410817187.4 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465905A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，包括：在基底上依次生长AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlGaN有源区、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和p型InGaN电极接触层；从所述p型InGaN电极接触层顶部开始向下刻蚀，刻蚀深度至n型AlGaN层内，形成发光二极管pn结脊形结构及其两侧的台面；在所述台面上制作n型接触电极；在所述脊形结构上的p型InGaN电极接触层上制作p型接触电极；在脊形结构及两侧台面上沉积电绝缘层，该电绝缘层覆盖n型接触电极和p型接触电极；在n型接触电极和p型接触电极的上方，分别形成上电极窗口区和下电极窗口区；在所述上电极窗口区及两侧的电绝缘层制作上电极层；在所述下电极窗口区上制作下电极层，完成方法的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 侧壁 离激元 技术 提高 紫外 发光二极管 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，包括：步骤1：在基底上依次生长AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlGaN有源区、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和p型InGaN电极接触层；步骤2：从所述p型InGaN电极接触层顶部开始向下刻蚀，刻蚀深度至n型AlGaN层内，形成发光二极管pn结脊形结构及其两侧的台面；步骤3：在所述台面上制作n型接触电极；步骤4：在所述脊形结构上的p型InGaN电极接触层上制作p型接触电极；步骤5：在脊形结构及两侧台面上沉积电绝缘层，该电绝缘层覆盖n型接触电极和p型接触电极；步骤6：在n型接触电极和p型接触电极的上方，分别形成上电极窗口区和下电极窗口区；步骤7：在所述上电极窗口区及两侧的电绝缘层制作上电极层；步骤8：在所述下电极窗口区上制作下电极层，完成方法的制作。
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