[发明专利]封装件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410817657.7 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105789062B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 余振华;叶德强;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文讨论了封装件的形成方法和结构。在实施例中，方法包括形成背侧重分布结构，以及在形成背侧重分布结构之后，将第一集成电路管芯粘附至背侧重分布结构。该方法还包括用密封剂密封背侧重分布结构上的第一集成电路管芯，在密封剂上形成前侧重分布结构，以及将第二集成电路管芯电连接至第一集成电路管芯。第二集成电路管芯通过机械附接至前侧重分布结构的第一外部电连接件电连接至第一集成电路管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成背侧重分布结构；在形成所述背侧重分布结构之后，将第一集成电路管芯粘附至所述背侧重分布结构；用密封剂密封位于所述背侧重分布结构上的第一集成电路管芯；在所述密封剂上形成前侧重分布结构；以及将第二集成电路管芯电连接至所述第一集成电路管芯，所述第二集成电路管芯通过机械附接至所述前侧重分布结构的第一外部电连接件电连接至所述第一集成电路管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
