[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构，该方法包括：步骤1、提供基板(1)，沉积缓冲层(2)；步骤2、沉积非晶硅层(3)；步骤3、沉积并图案化氧化硅层(4)；步骤4、以氧化硅层(4)为光罩，对非晶硅层(3)进行准分子激光退火处理，使其结晶、转变为多晶硅层；步骤5、形成第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)；步骤6、在第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并得到轻掺杂漏区；步骤7、沉积并图案化栅极绝缘层(5)；步骤8、形成第一栅极(61)、及第二栅极(62)；步骤9、形成过孔(70)；步骤10、形成第一源/漏极(81)、及第二源/漏极(82)。

主权项

一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积非晶硅层(3)；步骤3、在所述非晶硅层(3)上沉积氧化硅层，并通过黄光、蚀刻制程对氧化硅层进行图案化处理，得到位于显示区域的氧化硅层(4)；步骤4、以所述氧化硅层(4)作为光罩，对非晶硅层(3)进行准分子激光退火处理，使非晶硅层(3)结晶、转变为多晶硅层，并去除所述氧化硅层(4)；步骤5、通过黄光、蚀刻制程对所述多晶硅层进行图案化处理，形成间隔排列的位于显示区域的第一多晶硅段(31)与位于驱动区域的第二多晶硅段(32)；步骤6、分别在所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并分别在N型重掺杂与N型轻掺杂区域掺杂不同剂量的P31，得到轻掺杂漏区；步骤7、在所述缓冲层(2)、第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)上沉积并图案化栅极绝缘层(5)；步骤8、在所述栅极绝缘层(5)上对应第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)的上方分别沉积并图案化第一金属层，形成第一栅极(61)、及第二栅极(62)；步骤9、在所述栅极绝缘层(5)上形成层间绝缘层(7)，并在所述栅极绝缘层(5)与层间绝缘层(7)上对应所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)两侧的N型重掺杂区域上方形成过孔(70)；步骤10、在所述层间绝缘层(7)上沉积并图案化第二金属层，形成第一源/漏极(81)、及第二源/漏极(82)，所述第一源/漏极(81)与第二源/漏极(82)分别经由所述过孔(70)与所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)两侧的N型重掺杂区域相接触。