[发明专利]固态成像元件、其制造方法和电子设备有效
| 申请号： | 201410817944.8 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104795420B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥新吾;定荣正大;泷本香织 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够改善器件特性的固态成像元件、其制造方法和电子设备。所述固态成像元件包括：在半导体基板上层叠的绝缘膜；由所述绝缘膜针对每个像素分开形成的下部透明电极膜；在所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的平面上层叠的疏水处理层；在所述疏水处理层上层叠的有机光电转换层；和在所述有机光电转换层上层叠的上部透明电极膜。 | ||
| 搜索关键词： | 透明电极膜 绝缘膜 有机光电转换层 固态成像元件 疏水处理 上层 半导体基板 电子设备 分开形成 器件特性 像素 制造 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像元件，包括：/n在半导体基板上层叠的绝缘膜；/n由所述绝缘膜针对每个像素分开形成的下部透明电极膜；/n在所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的平面上层叠的疏水处理层；/n在所述疏水处理层上层叠的有机光电转换层，所述有机光电转换层用于将光转换成电荷；和/n在所述有机光电转换层上层叠的上部透明电极膜，/n其中，在所述疏水处理层上形成的所述有机光电转换层的取向特性能够被控制。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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