[发明专利]用于校正线束能量的方法和装置在审
| 申请号： | 201410818414.5 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104733339A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 徐永德;咸常根;沈亨基;权五成 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于校正当通过使用激光束在晶片上执行退火时所发射的线束能量的方法及装置。所述方法包括下列步骤：设置每个衰减器入射角的参考能量强度和参考脉冲形状；测量激光束，其中以经控制的衰减器控制入射角输出的激光束的能量强度经测量确定为测量能量强度，且激光束的脉冲形状经测量确定为测量脉冲形状；校正衰减器，其中通过使用测量能量强度和测量脉冲形状来计算校正值以校正衰减器控制入射角。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 校正 能量 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种校正线束能量的方法，所述方法包括以下步骤：设置每个衰减器入射角的参考能量强度和参考脉冲形状；测量激光束，其中以经控制的衰减器控制入射角输出的激光束的能量强度经测量确定为测量能量强度，且所述激光束的脉冲形状经测量确定为测量脉冲形状；校正衰减器，其中通过使用所述测量能量强度和所述测量脉冲形状来计算校正值以校正所述衰减器控制入射角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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