[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中所述形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有金属栅结构，金属栅结构的顶部表面与第一介质层的表面齐平，金属栅结构两侧的半导体衬底内形成有晶体管的源区和漏区；形成覆盖金属栅结构顶部表面的遮盖层；以所述遮盖层为掩膜，回刻蚀去除部分厚度的第一介质层；在遮盖层的侧壁表面上和回刻蚀后的部分第一介质层表面上形成侧墙；形成覆盖所述遮盖层、侧墙和回刻蚀后的第一介质层表面的第二介质层；刻蚀所述第二介质层和第一介质层，形成暴露出源区或漏区的第一通孔；在第一通孔中填充金属，形成第一插塞。本发明的方法防止桥接现象产生以及防止金属栅结构表面的损伤。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属栅结构，金属栅结构的顶部表面与第一介质层的表面齐平，金属栅结构两侧的半导体衬底内形成有晶体管的源区和漏区；形成覆盖所述金属栅结构顶部表面的遮盖层；以所述遮盖层为掩膜，回刻蚀去除部分厚度的第一介质层；在遮盖层的侧壁表面上和回刻蚀后的部分第一介质层表面上形成侧墙，所述侧墙和遮盖层将金属栅结构的顶部和部分侧墙包围，且侧墙和遮盖层的材料与第一介质层和第二介质层的材料不相同；形成覆盖所述遮盖层、侧墙和回刻蚀后的第一介质层表面的第二介质层；刻蚀所述第二介质层和第一介质层，形成暴露出源区或漏区的第一通孔，在形成第一通孔过程中，当第一通孔的位置向金属栅结构的位置发生偏移时，所述侧墙和遮盖层在刻蚀过程中能防止形成的第一通孔暴露出金属栅结构顶部边缘的表面；在第一通孔中填充金属，形成第一插塞。