[发明专利]一种大功率半导体器件的电极与硅片的焊接方法在审

专利信息
申请号: 201410821016.9 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104617070A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 郑阳春 申请(专利权)人: 余姚亿威电子科技有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60;H01L23/10;H01L21/50
代理公司: 代理人:
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种大功率半导体器件的电极与硅片的焊接方法,该方法在散热板和半导体硅片、电极和半导体硅片之间设置焊料,将上述装置加热后使得焊料熔化而焊接结合。本发明还提供了一种无铅焊料,所述焊料包含不超过3重量%的银,不超过0.2重量%的钛,不超过0.2重量%的镍以及余量的锡。该无铅焊料对于焊接电子部件等具有较高可靠性。
搜索关键词: 一种 大功率 半导体器件 电极 硅片 焊接 方法
【主权项】:
一种无铅焊料,其特征是,成分如下:含有1重量%至3重量%的银(Ag),0.01重量%至0.2重量%的钛(Ti),0.01重量%至0.2重量%的镍(Ni)以及余量的锡(Sn)和不可避免的杂质元素。
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