[发明专利]抑制高频隔离型全桥电路动态偏磁的电路结构及控制方法有效

专利信息
申请号: 201410822077.7 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104539146A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 毕大强;柴建云;孙旭东;赵杨阳 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 朱琨
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于高频隔离型全桥电路控制技术领域,特别涉及一种抑制高频隔离型全桥电路动态偏磁的电路结构及控制方法。电路由交错并联BuckBoost电路、高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路组成。方法包括:当变换器电路的电流指令的变化率小于高频变压器动态偏磁阀值时,高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路工作在电流闭环状态下,而交错并联BuckBoost电路工作在50%占空比开环运行状态下;当变换器电路的电流指令的变化率大于等于高频变压器动态偏磁阀值时,高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路维持在当前占空比下开环工作,而交错并联BuckBoost电路工作在电流快速闭环状态下。
搜索关键词: 抑制 高频 隔离 型全桥 电路 动态 结构 控制 方法
【主权项】:
一种抑制高频隔离型全桥电路动态偏磁的电路结构,其特征在于,由交错并联BuckBoost电路、高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路组成;其中,交错并联BuckBoost电路包含电容C1和C2、电感L1和L2、开关管S1至S4、二极管D1至D4;高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路为在高频变压器T1的初级端连接接成桥式结构的自带反并二极管的开关管Sa1至Sa4,次级端连接接成桥式结构的自带反并二极管的开关管Sb1至Sb4;次级端连接的桥式结构的上下桥臂之间并联高压直流母线电容C3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410822077.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top