[发明专利]等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其具有进气单元、载置待处理基片的基座，第一气体集中环和可移动的第二气体集中环。第一气体集中环包括内环形体和外环形体，外环形体包围内环形体并通过至少一条辐条与内环形体连接为一体，内外环形体之间的中空部以及内环形体以内的中空部供工艺气体和/或其等离子体通过。当第二气体集中环移动至贴合于第一气体集中环下表面时，其完全遮蔽内外环形体之间的中空部同时完全暴露内环形体以内的中空部。本发明能够根据不同工艺制程的需求调节等离子体分布。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔室，其具有：用于向所述反应腔室输入工艺气体的进气单元；用于载置待处理基片的基座；第一气体集中环，设置于所述进气单元和所述基座之间，其包括内环形体和外环形体，所述外环形体包围所述内环形体并通过至少一条辐条与所述内环形体连接为一体，所述内环形体与外环形体之间的中空部以及所述内环形体以内的中空部供所述工艺气体和/或其等离子体通过，其中所述内环形体的内径小于所述基片的直径；以及可移动的第二气体集中环，设于所述基片外周侧并位于所述基片和所述第一气体集中环之间；以及驱动单元，用于驱动所述第二气体集中环在远离所述第一气体集中环的第一位置和贴合于所述第一气体集中环下表面的第二位置之间垂直移动；其中当所述第二气体集中环移动至所述第二位置时，其完全遮蔽所述内环形体与外环形体之间的中空部同时完全暴露所述内环形体以内的中空部。