[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410822933.9 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104477903A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 左青云;曾绍海;康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C04B41/50;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯薄膜的制备方法，其包括：提供一基底；在基底上控制形成厚度均匀的碳源层；加热碳源层，使碳源层发生化学反应而转变为石墨烯薄膜层。这样，通过精确控制碳源层的均匀性和厚度，可以精确控制石墨烯薄膜均匀性和厚度；同时，本发明的石墨烯的制备方法可以得到高质量的石墨烯薄膜，其能够与现有的CMOS工艺相兼容，适于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一基底；步骤02：在所述基底上控制形成厚度均匀的碳源层；步骤03：加热所述碳源层，使所述碳源层发生化学反应而转变为石墨烯薄膜层。
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