[发明专利]成像装置、成像系统和成像装置的制造方法

摘要

本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间。沟道区域包括被设置在第一和第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二和第四栅极区域之间的第二区域。源极区域被设置在第一和第二栅极区域之间。

主权项

一种成像装置，包括：设在半导体衬底中的结型场效应晶体管，其中所述结型场效应晶体管包括第一导电类型的沟道区域、第一导电类型的源极区域、第二导电类型的第一栅极区域、第二导电类型的第二栅极区域、第二导电类型的第三栅极区域以及第二导电类型的第四栅极区域，第一栅极区域和第二栅极区域被设置在沿着半导体衬底的表面的方向上，第三栅极区域和第四栅极区域被设置在沿着半导体衬底的表面的方向上，第一栅极区域和第三栅极区域被设置在半导体衬底的深度方向上，第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间，第二栅极区域和第四栅极区域被设置在所述深度方向上，第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间，沟道区域包括被设置在第一栅极区域与第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二栅极区域与第四栅极区域之间的第二区域，源极区域被设置在第一栅极区域与第二栅极区域之间，并且具有比第三栅极区域的杂质密度低并且比第四栅极区域的杂质密度低的杂质密度的第二导电类型的半导体区域被设置在第三栅极区域与第四栅极区域之间。