[发明专利]阻挡隔膜、其制备方法及包括其的二次电池有效
申请号: | 201410826172.4 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN105789531B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 程寒松;孙玉宝;曾丹黎;李改;赖远初;李万清 | 申请(专利权)人: | 杭州聚力氢能科技有限公司;中国地质大学(武汉) |
主分类号: | H01M2/16 | 分类号: | H01M2/16;H01M2/14;H01M10/05 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 311305 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种阻挡隔膜、其制备方法及包括其的二次电池。该阻挡隔膜包括一层或G层单离子聚合物电解质膜,其中G≥2。该阻挡隔膜中,单离子聚合物电解质膜因其对于阳离子的选择性通过特性,能够阻碍二次电池中因放电过程产生的可溶性多硫阴离子的电迁移,将其阻挡在靠近硫正极的一侧。从而有利于防止这些多硫阴离子扩散至负极(如锂或钠负极)表面发生反应,进而能够解决二次电池的电池容量和电流效率降低的问题。总之,在二次电池的硫正极和多孔隔膜之间增设上述阻挡隔膜后,在该阻挡隔膜阻挡多硫阴离子的作用下,能够有效抑制多硫化物的“穿梭”效应,进而能够提高具有硫正极的二次电池的电池性能。 | ||
搜索关键词: | 阻挡 隔膜 制备 方法 包括 二次 电池 | ||
【主权项】:
1.一种阻挡隔膜,其特征在于,所述阻挡隔膜包括一层或G层单离子聚合物电解质膜,其中G≥2;所述单离子聚合物电解质膜包括聚合物基体和阳离子选择性活性组分,所述阳离子选择性活性组分包括聚合物骨架、所述聚合物骨架上的阴离子以及与所述阴离子连接并位于所述聚合物骨架之外的阳离子;其中,所述阴离子具有负电荷中心以及与所述负电荷中心相连接的至少一个吸电子基团;所述阳离子选择性活性组分具有式I所示通式结构,其中,R1和R2分别独立地选自所组成的组;M1‑选自sp3杂化硼阴离子或双磺酰亚胺阴离子;N+选自锂离子、钠离子或钾离子;代表单键、双键或成环连接;所述式I通式结构的分子量为3000~10000。
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