[发明专利]熔丝结构、包含该熔丝结构的半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 201410826883.1 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789178A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吴建兴 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种熔丝结构、包含该熔丝结构的半导体器件及制备方法，可基于传统熔丝结构的基础上，通过在熔断区中开设凹槽，进而形成能量转折与放电点，以使得施加在熔丝上的电能集中在凹槽的区域中，在确保流经熔丝的电流或两端的电压差大于预定值后，该能量转折与放电点能够及时的熔断，且不会产生回接，同时其熔断点又可控，利于电路的设计。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 包含 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种熔丝结构，其特征在于，包括：熔丝本体，设置有熔断区及位于该熔断区两端的连接区；其中，位于所述熔断区中的所述熔丝本体上设置有凹槽，以用于形成熔断处。
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