[发明专利]一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410827635.9 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576788A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池自下而上依次有衬底、导电镀膜层、碲化镉层、石墨烯层及硒化镉层，所述的太阳电池还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上，第二电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积碲化镉层；然后将石墨烯转移至碲化镉层上；在石墨烯层上制备硒化镉层；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得太阳电池。本发明的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池利用硒化镉引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/碲化镉太阳电池，工艺简单，便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化镉 增强 石墨 碲化镉 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池，其特征在于自下而上依次有衬底（1）、导电镀膜层（2）、碲化镉层（3）、石墨烯层（4）及硒化镉层（6），所述的太阳电池还设有第一电极（5）和第二电极（7），第一电极（5）设置在导电镀膜层（2）上，第二电极（7）设置在石墨烯层（4）上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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