[发明专利]一种常温常压二氧化硅CVD装置在审
| 申请号： | 201410827645.2 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104593748A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王利魁;邓丽朵;刘云;姚伯龙 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种用四氯化硅作为化学气相沉积(CVD)源的常温常压二氧化硅CVD装置，该装置使用过程中用氮气分别将四氯化硅和水以气态的形式携带至放有物件的CVD室内，并在其中发生化学反应，生成二氧化硅，从而可以在平坦或者弯曲的物件表面以及多孔结构孔道表面沉积致密、厚度可控的二氧化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常温 常压 二氧化硅 cvd 装置 | ||
【主权项】：
一种常温常压二氧化硅化学气相沉积(CVD)装置，以及用该装置在物件表面及孔道结构表面沉积二氧化硅的方法。该CVD装置包含流量计、四氯化硅鼓泡装置、水鼓泡装置、CVD室等四部分组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410827645.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
