[发明专利]一种光催化产氢助催化剂、光催化体系及产氢的方法有效

专利信息
申请号: 201410828045.8 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN105772041B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 陈勇;曹爽;付文甫 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: B01J27/185 分类号: B01J27/185;B01J27/14;B01J27/19;B01J27/187;C01B3/04
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张文祎
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种光催化产氢助催化剂,所述助催化剂为CoP、Co2P、Fe2P、FeP、Cu3P、ZnP、MoP、MnP中的一种或两种以上混合物。本发明还公开了含该光催化产氢助催化剂的光催化体系,包括:半导体、助催化剂、电子牺牲剂和水。本发明的光催化体系的产氢效率极高,无需添加表面稳定剂,成本低,无需除气,更利于实际应用。
搜索关键词: 一种 光催化 产氢助 催化剂 体系 方法
【主权项】:
1.一种光催化体系,其特征在于,所述体系包括:半导体和助催化剂形成的结;电子牺牲剂;和水;其中,所述半导体为CdS、CdSe、CdTe、TiO2中的一种或两种以上混合物;所述助催化剂为CoP;所述半导体和助催化剂形成的结是通过将半导体和助催化剂经原位生成方法得到;原位生成方法是:将半导体分散于水中,加入适量的硝酸钴和柠檬酸钠,再加入氢氧化钠溶液,得到氢氧化钴/半导体杂化体,将得到的氢氧化钴/半导体杂化体置于石英舟的一端,再在另外一端放入次磷酸钠,在氩气保护下加热,得到磷化钴/半导体结,所述加热是在280‑320℃加热0.8‑1.2小时。
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