[发明专利]薄膜晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410828161.X | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789317A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵加湘 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管器件及其制备方法，所述薄膜晶体管器件依次包括：衬底、缓冲层、沟道层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极，所述沟道层的形状为弯曲型，避免因沟道的长度过长而对器件像素造成影响，沟道层的长度与宽度均可根据需要进行调整，很好的解决了沟道层单方向较长的问题；并且，通过将非掺杂区沟道层设置于栅极覆盖的区域内，将掺杂区沟道层设置于栅极覆盖的区域外，使得非掺杂区沟道层与掺杂区沟道层接触的界面形成PN结，从而降低薄膜晶体管器件的关态电流，在很大程度上提高了器件的性能，同时可以很好的避免源漏极之间由于电场作用造成的器件不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管器件，依次包括：衬底、缓冲层、沟道层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极，其特征在于，所述沟道层的形状为弯曲型。
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