[发明专利]一种减小热载流子效应的横向高压器件在审
| 申请号： | 201410829923.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104600118A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 乔明;周锌;祁娇娇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小热载流子效应的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统横向高压器件的浅槽隔离区内设置了一个高介电常数介质块，使得第二导电类型阱区靠近高介电常数介质块附近的电场强度减小，载流子温度和碰撞电离率减小，抑制了热载流子注入到氧化层，有效降低了器件的热载流子效应，延长了器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 载流子 效应 横向 高压 器件 | ||
【主权项】：
一种减小热载流子效应的横向高压器件，包括第二导电类型半导体衬底(1)；形成在第二导电类型半导体衬底(1)上的第一导电类型体区(2)和第二导电类型阱区(3)；形成在第一导电类型体区(2)中的第一导电类型接触区(4)和第一导电类型源区(5)；形成在第二导电类型阱区3中的浅槽隔离区(7)和第一导电类型缓冲区(11)，浅槽隔离区(7)位于第一导电类型体区(2)和第一导电类型缓冲区(11)之间；形成于第一导电类型缓冲区(11)中的第二导电类型漏区(6)；形成于第一导电类型源区(5)和浅槽隔离区(7)之间区域上方的栅氧化层(10)，形成于栅氧化层(10)和部分浅槽隔离区(7)之上的多晶硅栅(8)，其特征在于，所述浅槽隔离区(7)内还设有高介电常数介质块(12)。
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