[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201410831980.X | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752492A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | P·伊尔西格勒;J·鲍姆加特尔;M·聪德尔;A·毛德;F·希尔勒;R·威斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，该半导体器件通过形成以下项而形成：在具有主表面的半导体衬底中的晶体管；源极和漏极区域；和在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区。源极区域和漏极区域被沿着平行于主表面的第一方向布置。栅极沟槽和栅极电极形成于栅极沟槽中。在主表面中形成的副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括在具有主表面的半导体衬底中形成晶体管，所述方法进一步包括：形成源极区域和漏极区域；形成布置在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域和漂移区，所述源极区域和所述漏极区域被沿着平行于所述主表面的第一方向布置；形成栅极沟槽和在所述栅极沟槽中的栅极电极；以及在所述主表面中形成副沟槽，所述副沟槽在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，使用经由所述副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成所述源极区域。
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