[发明专利]用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201410832079.4 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752165A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金海元;金锡允;申昌勋;李政勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件。所述用于形成薄膜的循环沉积法包括：通过将硅前体注入装有物体的室内，将硅沉积在所述物体上，并实施第一次吹扫，以将所述硅前体的未反应部分和反应副产物从所述室的内部除去，从而在所述物体上形成硅薄膜；通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有氢原子的第一反应源，对所述硅薄膜的表面进行预加工；以及通过在所述室内形成所述等离子体气氛并供应具有一个或多个氧原子、一个或多个氮原子或它们的混合物的第二反应源，将所述硅薄膜形成为含硅的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 薄膜 循环 沉积 半导体 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于形成薄膜的循环沉积法，所述方法包括：通过将硅前体注入装有物体的室内，将硅沉积在所述物体上，并实施第一吹扫，将所述硅前体的未反应部分和反应副产物从所述室的内部除去，从而在所述物体上形成硅薄膜；通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有氢原子的第一反应源，对所述硅薄膜的表面进行预加工；以及通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有一个或多个氧原子、一个或多个氮原子或它们的混合物的第二反应源，将所述硅薄膜形成为含硅的绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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