[发明专利]基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备

摘要

本发明公开了基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备，属于多晶硅生产技术领域，解决了参与还原反应三氯氢硅的纯度低，影响三氯氢硅的一次转化率并导致多晶硅的生产成本高的问题。本发明的主要技术方案为：一种基于改良西门子法的多晶硅生产方法，包括：步骤1，三氯氢硅还原沉积得到多晶硅，排出尾气；步骤2，尾气经多级冷凝得到不凝气和冷凝液，不凝气进入吸收塔，吸收塔吸收不凝气中的HCL并流出氯硅烷富液；冷凝液与氯硅烷富液混合后进入解析塔；步骤3，解析塔流出的氯硅烷贫液至少一部分发生反歧化反应，使氯硅烷贫液中的二氯二氢硅的质量百分含量降低；步骤4，反应后的氯硅烷贫液进入精馏塔；精馏塔产物进入还原炉。

主权项

一种基于改良西门子法的多晶硅生产方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，三氯氢硅在H₂气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅，还原炉排出尾气；步骤2，步骤1的尾气经多级冷凝得到不凝气和冷凝液，不凝气进入吸收塔，吸收塔吸收不凝气中的HCL并流出氯硅烷富液；冷凝液与氯硅烷富液混合后进入解析塔；步骤3，解析塔流出的氯硅烷贫液分为两部分：第一部分氯硅烷贫液进入吸收塔作为吸收剂，第二部分氯硅烷贫液分离两支，第一支氯硅烷贫液进入反歧化反应器发生反歧化反应，使氯硅烷贫液中的二氯二氢硅的质量百分含量由5％‑7wt％降低至2％‑3wt％，然后第一支氯硅烷贫液与第二支氯硅烷贫液汇合，形成混合氯硅烷贫液；步骤4，反应后的氯硅烷贫液进入精馏塔；三氯氢硅合成器输出的产物进入精馏塔；精馏塔流出的三氯氢硅和二氯二氢硅进入还原炉。