[发明专利]具有SiGe源漏区的PMOS结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410835912.0 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104538448A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有SiGe源漏区的PMOS结构，通过在SiGe主体层内设置Ge浓度递增的第一主体层以及Ge浓度递减的第二主体层，形成Ge浓度的梯度变化，从而避免主体层与缓冲层界面处Ge浓度骤变而引起的位错和应力释放，而在主体层与盖帽层的界面处回复到低Ge浓度作为结束生长浓度，以保证盖帽层对主体层的良好包覆；在第一主体层和第二主体层交界处或中间的中间层处，即为Ge浓度最高位置，用以提高对沟道的应力，从而增强器件良率，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sige 源漏区 pmos 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有SiGe源漏区的PMOS结构，所述PMOS结构包括衬底、衬底上的栅极以及栅极两侧的源漏区，所述源漏区自下而上依次包括SiGe缓冲层、SiGe主体层和Si盖帽层，其特征在于：所述SiGe主体层自下而上依次包括第一主体层和第二主体层，所述第一主体层的Ge浓度自下而上递增，所述第二主体层的Ge浓度自下而上递减，且所述第一主体层的最高Ge浓度与第二主体层的最高Ge浓度相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410835912.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
