[发明专利]单晶硅基底TFT器件在审
| 申请号： | 201410837858.3 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104681624A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王东平;谢应涛;方汉铿 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制备领域的单晶硅基底TFT器件，通过在单晶硅表面刻蚀出作为源极和漏极基础的硅岛，然后在硅岛表面覆盖至少一层绝缘材料并打孔，再在一层或不同层的绝缘材料上分别制作栅极、源极和漏极，最后将源极、漏极与对应的硅岛相连，组成TFT器件。本发明制备得到的TFT器件以单晶硅为基底，在单晶硅基地上刻出硅岛，以硅岛作为TFT器件的源极和漏极，能够大幅度提高TFT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 基底 tft 器件 | ||
【主权项】：
一种单晶硅基底TFT器件的制备方法，其特征在于，通过在单晶硅表面刻蚀出作为源极和漏极基础的硅岛，然后在硅岛表面覆盖至少一层绝缘材料并打孔，再在一层或不同层的绝缘材料上分别制作栅极、源极和漏极，最后将源极、漏极与对应的硅岛相连，组成TFT器件。
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