[发明专利]量子点的制造方法

摘要

本发明公开了一种量子点的制造方法，利用在光刻刻蚀后第一图形化材料层线条的两侧形成第一侧墙，第一侧墙厚度即为后续制得量子点的一维尺寸，随后在第二图形化材料层的两侧形成第二侧墙，第二侧墙厚度即为量子点另一个一维尺寸，由此来精确控制量子点的大小，而通过第一图形化材料层线条和第二图形化材料层线条的位置及宽度，可以精确控制量子点的位置和间距。本发明适用于大规模生产制造。

主权项

一种量子点的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，在硅衬底上依次形成电子材料层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一图形化材料层；步骤S02，光刻刻蚀所述第一图形化材料层停留在所述第二硬掩模层上，形成第一图形化材料层线条；步骤S03，在所述第一图形化材料层线条两侧形成第一侧墙，随后去除第一侧墙中间的第一图形化材料层线条；步骤S04，以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层线条；步骤S05，在形成有第二硬掩模层线条的硅衬底上形成第二图形化材料层；步骤S06，光刻刻蚀所述第二图形化材料层停留在所述第一硬掩模层上，形成与所述第二硬掩模层线条相交的第二图形化材料层线条；步骤S07，在所述第二图形化材料层线条两侧形成第二侧墙，随后去除第二侧墙中间的第二图形化材料层线条；步骤S08，以所述第二侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层块；步骤S09，以所述第二硬掩模层块为掩模刻蚀所述第一硬掩模层以及电子材料层，并去除所有第一硬掩模层和第二硬掩模层，形成电子材料的量子点。