[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410838229.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789333A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 戴执中;郑大燮;王刚宁;杨广立;刘丽;孙泓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底内的深N阱、位于深N阱内的浅沟槽隔离、位于深N阱内且分别位于浅沟槽隔离的两侧的P型附加区和N型阴极区，还包括位于深N阱的上方且位于浅沟槽隔离的两侧的阴极引出区和阳极，其中，阴极引出区与N型阴极区相接触，阳极与深N阱相接触并与P型附加区相接触。本发明的半导体器件由于包括位于深N阱内且与阳极相接触的P型附加区，因此具有更高的崩溃电压。根据本发明的半导体器件的制造方法制得的半导体器件同样具有上述优点。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底内的深N阱、位于所述深N阱内的浅沟槽隔离、位于所述深N阱内且分别位于所述浅沟槽隔离的两侧的P型附加区和N型阴极区，还包括位于所述深N阱的上方且位于所述浅沟槽隔离的两侧的阴极引出区和阳极，其中，所述阴极引出区与所述N型阴极区相接触，所述阳极与所述深N阱相接触并与所述P型附加区相接触。
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