[发明专利]一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法

摘要

一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，先对碳化硅颗粒（SiCp）表面进行粗化、敏化、活性、解胶及烘干五步预处理，再用5～12.5 g/l的硫酸铜、10～20g/l的EDTA、5～15g/l的酒石酸钾钠、体积分数1.2～1.5%的甲醛及体积分数0.7～0.9%的甲醇的镀液，在pH值11～12.5、35～47℃的条件下，对SiCp表面镀铜，再采用无压渗透法制备SiCp体积分数为50～55%的铝基复合材料。本发明工艺简便可靠、环保，制得的SiCp/Al复合材料的比强度和比刚度高、耐磨性好、热膨胀系数低，且导热率有极大提高，能很好解决电子封装材料存在的温度过高导致电子元件失效的问题。

主权项

一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于：制备方法包括SiCp颗粒表面预处理、SiCp颗粒表面镀铜以及SiCp/Al复合材料的制备三个工序:（1）SiCp颗粒表面预处理工序包括粗化、敏化、活化、解胶、烘干5个步骤，粗化采用体积分数为20%的HF酸的水溶液对SiCp颗粒表面酸洗，解胶采用次磷酸盐溶液清洗SiCp颗粒表面，再用蒸馏水洗净至中性；敏化液配方为：氯化亚锡15～20g/l、38%浓盐酸体积分数3～6%，溶剂为蒸馏水；活化溶液配方为：硝酸银4～6g/l，氨水调节溶液至澄清，溶剂为蒸馏水；（2）SiCp颗粒表面镀铜工序镀液配方为：硫酸铜5～12.5 g/l、EDTA为10～20g/l、酒石酸钾钠5～15g/l、甲醛体积分数1.2%～1.5%以及甲醇体积分数0.7～0.9%；施镀工艺参数为：镀液pH维持11～12.5、温度35～47℃；（3） SiCp/Al复合材料的制备工序加热炉内，镀铜SiCp、铝块在氩气保护条件下，采取分段加热至1100℃，保温60～70min后自然冷却，得到SiCp体积分数为50%‑55%的铝基复合材料。