[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法

摘要

一种异质结太阳能电池及其制造方法，而异质结太阳能电池包含一太阳能电池本体、一第一图案化透明导电层以及一第二图案化透明导电层。其中，第一图案化透明导电层形成于第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，第一延伸包覆部部分地包覆住第一非晶硅半导体层的边缘。第二图案化透明导电层形成于第二非晶硅半导体层上，并与第一图案化透明导电层围构出至少一边缘暴露区，边缘暴露区使第一图案化透明导电层与第二图案化透明导电层相互断开。

主权项

一种异质结太阳能电池，包含：一太阳能电池本体，包含：一半导体基板，具有相对设置的一第一表面与一第二表面，且所述半导体基板掺杂有一第一半导体；一第一本征非晶硅半导体层，设置于所述第一表面上；一第一非晶硅半导体层，设置于所述第一本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第二半导体；一第二本征非晶硅半导体层，设置于所述第二表面上；以及一第二非晶硅半导体层，设置于所述第二本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第三半导体；一第一图案化透明导电层，形成于所述第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，所述第一延伸包覆部部分地包覆住所述第一非晶硅半导体层的边缘；以及一第二图案化透明导电层，形成于所述第二非晶硅半导体层上，且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘；其中，所述第二图案化透明导电层具有多个第二延伸包覆部，所述第二延伸包覆部至少包覆住部分所述第二非晶硅半导体层的边缘，所述第一延伸包覆部与所述第二延伸包覆部交错地排列。