[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有有源区单元、浅沟槽隔离单元以及周围区单元，其中在所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元中形成有由若干栅极结构形成的栅极阵列；步骤S2：执行源漏注入，以形成源漏区，并形成钝化层，以覆盖所述有源区单元、所述浅沟槽隔离单元和所述周围区单元；步骤S3：以自对准的方法去除所述浅沟槽隔离单元中部分所述栅极结构之间的所述钝化层，以形成若干隔离开口，间隔所述栅极阵列；步骤S4：沉积隔离材料层，以填充所述隔离开口。本发明通过所述方法可以避免对所述栅极的侧壁造成损坏，以进一步提高器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体存储器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有有源区单元、浅沟槽隔离单元以及周围区单元，其中在所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元中形成有由若干栅极结构形成的栅极阵列；步骤S2：执行源漏注入，以形成源漏区，并形成钝化层，以覆盖所述有源区单元、所述浅沟槽隔离单元和所述周围区单元；步骤S3：以自对准的方法去除所述浅沟槽隔离单元中部分所述栅极结构之间的所述钝化层，以形成若干隔离开口，间隔所述栅极阵列；步骤S4：沉积隔离材料层，以填充所述隔离开口；步骤S5：在所述周围区单元中形成第二栅极结构；步骤S6：去除所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元上的所述钝化层，以露出所述栅极结构；步骤S7：沉积层间介电层，以覆盖所述有源区单元、所述浅沟槽隔离单元中的所述栅极结构和所述周围区单元中的所述钝化层；步骤S8：图案化所述层间介电层和所述钝化层，在所述周围区单元的所述钝化层中形成接触孔开口；步骤S9：去除所述层间介电层，以露出所述栅极结构。