[发明专利]一种掺杂金属的SiC基旋转靶材及其制造方法

摘要

本发明提供了一种掺杂金属的SiC基旋转靶材，以质量百分比计，该靶材包括80-99.5％的SiC和0.5-20％的掺杂金属，其中所述掺杂金属包括Ti、Al、Cr、Ni、Cu、Ag、Sn和Zn中的一种或几种。本发明还提供了一种掺杂金属的SiC基旋转靶材的制备方法，包括：掺杂金属的SiC喷涂粉的制备；喷涂基体的处理；喷涂打底层；采用等离子喷涂工艺在喷涂基体上喷涂掺杂金属的SiC基涂层。本发明提供的掺杂金属的SiC基旋转靶材及其制备方法，掺杂金属的SiC基旋转靶材结构致密、成分均匀、导电性好、无裂纹，其喷涂长度和直径不受限制，其靶材的相对密度可达到90％-95％之间。

主权项

一种掺杂金属的SiC基旋转靶材，其特征在于：以质量百分比计，该靶材包括80‑99.5％的SiC和0.5‑20％的掺杂金属，其中所述掺杂金属包括Ti、Al、Cr、Ni、Cu、Ag、Sn和Zn中的一种或几种。