[发明专利]一种Zn(Ⅱ)配位聚合物及其制备方法有效
申请号: | 201410841894.7 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN104592259A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 卓馨;史洪伟;周书灵;刘超;王红艳;王聪;朱军;周丹红 | 申请(专利权)人: | 宿州学院 |
主分类号: | C07F3/06 | 分类号: | C07F3/06;C09K11/06 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 程笃庆;黄乐瑜 |
地址: | 234000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种Zn(Ⅱ)配位聚合物,其化学式为Zn(CPGA)2(H2O)2,其中,CPGA为3-(4-氯苯基)戊二酸阴离子配体。本发明所述Zn(Ⅱ)配位聚合物的制备方法,包括以下步骤:将锌盐和3-(4-氯苯基)戊二酸加入蒸馏水中,搅拌后调节体系呈酸性,然后置于高压反应釜中,进行水热反应,反应结束后冷却得到所述Zn(Ⅱ)配位聚合物。本发明所述Zn(Ⅱ)配位聚合物稳定性好,具有荧光性质,有望用作荧光材料。本发明所述Zn(Ⅱ)配位聚合物的制备方法合成方法简单,操作方便,产率高,可重现性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 zn 配位聚合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Zn(Ⅱ)配位聚合物,其化学式为Zn(CPGA)2(H2O)2,其中,CPGA为3‑(4‑氯苯基)戊二酸阴离子配体,CPGA的结构式如下:。
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