[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201410842446.9 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599973A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李子健 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，于基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)；步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案；步骤3、采用激光照射工艺对形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a)；步骤4、将杂质注入多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b)；步骤5、于有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)；该方法能够缩短从形成多晶硅薄膜到形成栅极绝缘膜之间的工艺流程和滞留时间，减小影响有源区质量的环境因素和流程因素，且不会造成氢爆，提高了低温多晶硅薄膜晶体管制程的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，于所述基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)；步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案；步骤3、采用激光照射工艺对所述形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a)；步骤4、将杂质注入所述多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b)；步骤5、于所述有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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