[发明专利]一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用有效
| 申请号： | 201410842630.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104480532A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 章金兵;彭也庆;付红平 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，先对金刚石线切割的多晶硅片在850-900℃下进行扩磷预处理，在所述硅片表层形成一层方块电阻为40-100ohm/Sq的N型重掺杂层，得到制绒预处理硅片。本发明还提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，对所述制绒预处理硅片进行常规制绒处理，形成具有均匀、低反射率绒面，得到金刚线切割多晶硅片制绒产品。本发明还提供了一种制绒预处理硅片和金刚线切割多晶硅片制绒产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚 切割 多晶 硅片 预处理 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，包括如下步骤：(1)取金刚线切割的多晶硅片进行清洗，之后将所述硅片置于扩散炉中，并将扩散炉升温至850‑900℃，通入大流量氮气，祛除炉内气体；(2)待扩散炉的温度稳定后，通入携液态磷源的氮气、氧气进行扩散，扩散温度为850‑900℃，扩散时间为10‑15min，其中，携液态磷源的氮气的流量为40‑100ml/min，氧气的流量为30‑90ml/min；(3)将扩散炉通入大流量氮气，完成扩散过程，得到带磷扩散层的多晶硅片，即制绒预处理硅片。
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