[发明专利]高致密导电氧化铌靶材的生产方法在审

专利信息
申请号: 201410843188.6 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104496473A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 宋爱谋;钟小亮 申请(专利权)人: 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司37212 代理人: 马俊荣
地址: 255100山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于靶材制造技术领域,具体涉及一种高致密导电氧化铌靶材的生产方法。选择五氧化二铌粉和金属铌粉作为原料按照配比放入V型混料机中混料,将混好的粉体原料放入高能球磨罐中球磨,将球磨好的粉体放入高纯石墨模具中,将石墨模具放入热压炉中处理,关闭电源随炉冷,取出靶材坯料,将坯料加工成规定形状的靶材,检测靶材的密度、纯度、电阻率。本发明通过高能球磨机械合金化的方法,让金属铌的分布更加均匀,靶材的导电性更好;通过优化的热压工艺,生产过程更短,成本更低;通过原料的优选,靶材的导电性和致密度更好。
搜索关键词: 致密 导电 氧化 铌靶材 生产 方法
【主权项】:
一种高致密导电氧化铌靶材的生产方法,其特征在于步骤如下:(1)选择五氧化二铌粉和金属铌粉作为原料按照配比放入V型混料机中混料;(2)将混好的粉体原料放入高能球磨罐中球磨;(3)将球磨好的粉体放入高纯石墨模具中,粉体下部用氧化锆陶瓷纸将粉体与石墨下压头隔离,粉体上部用氧化锆陶瓷纸将粉体与石墨垫片隔离,粉体预压1‑5吨;(4)将石墨模具放入热压炉中,将炉内真空度抽至1‑100Pa,充入0.1‑1atm的高纯氩气;(5)按照升温速率为100‑300℃/小时将炉内温度升至500‑800℃,保温0.5‑2小时,将炉内真空度抽至1‑100Pa,充入0.1‑1atm的高纯氩气;(6)给模具施压5‑20MPa,然后按照升温速率为100‑300℃/小时升温至950‑1150℃,温度均匀化0.5‑2小时,再给模具施压20‑50MPa,保压保温1‑4小时;(7)将温度降至500‑800℃,降温速率为50‑200℃/小时,降温过程中保压10‑30MPa;(8)关闭电源随炉冷,温度降至20‑100℃时,取出靶材坯料;(9)将坯料加工成规定形状的靶材;(10)检测靶材的密度、纯度、电阻率。
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