[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410843611.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789303A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 戴执中;方磊;郑大燮;王刚宁;杨广立;唐凌;刘丽;孙泓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底内的P阱、并列设置于P阱内的N型漂移区与P型注入区及位于半导体衬底上且位于N型漂移区与P型注入区的上方的栅极结构，还包括位于P阱内且与N型漂移区的靠近P型注入区的一侧相交叠的P型附加区，其中P型附加区的靠近P型注入区的一侧到P型注入区的距离小于N型漂移区的靠近P型注入区的一侧到P型注入区的距离。该半导体器件由于包括P型附加区，因此相对于现有技术具有更高的崩溃电压和稳定性。本发明的半导体器件的制造方法制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括该半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内的P阱、并列设置于所述P阱内的N型漂移区与P型注入区以及位于所述半导体衬底上且位于所述N型漂移区与所述P型注入区的上方的栅极结构，还包括位于所述P阱内且与所述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧相交叠的P型附加区，其中所述P型附加区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区的距离小于所述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区的距离。
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