[发明专利]一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201410843756.2 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104485312A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈文钊;于大全;谌世广;刘卫东 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法，由基板和基板凹槽组成，所述基板凹槽在基板的外沿面的内侧。所述基板凹槽深度大于20um，宽度大于20um。所述制造方法：在基板的外沿面的内侧制作基板凹槽。本发明能显著改善MUF工艺基板外围溢料的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 muf 工艺 外围 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，其特征在于，由基板(1)和基板凹槽(2)组成，所述基板凹槽(2)在基板(1)的外沿面的内侧。
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