[发明专利]各向异性磁阻及提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法在审
| 申请号： | 201410844151.5 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104681713A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 时延;王健鹏;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种各向异性磁阻及提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，在形成常规的Z轴垂直磁阻之后，接着在垂直磁阻的表面形成刻蚀阻挡层，接着，在刻蚀阻挡层的表面形成补偿磁阻，接着刻蚀区域位于基片表面上的补偿磁阻，保留位于沟槽侧壁上的补偿磁阻，从而在不增加表面磁阻厚度的情况下，增加沟槽侧壁上的补偿磁阻的厚度，并且刻蚀阻挡层并不影响磁场的通过，不会影响各向异性磁阻的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 提升 敏感度 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，所述基片中形成有沟槽，所述沟槽的侧壁上形成有侧壁磁阻，所述基片的表面形成有表面磁阻，所述侧壁磁阻与表面磁阻相连构成垂直磁阻；在所述垂直磁阻的表面形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层的表面形成补偿磁阻；刻蚀位于所述基片上的补偿磁阻，保留位于所述沟槽侧壁上的补偿磁阻。
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