[发明专利]抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路有效
| 申请号： | 201410844181.6 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104466884B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王开 | 申请（专利权）人： | 无锡展芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H1/04 | 分类号： | H02H1/04 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无锡新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种可以抵御瞬间高脉冲电压、电流冲击的抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路，包括供电电路和基准偏置电路两部分，所述供电电路是由稳压二极管和高压瞬态泻放回路组成，电路中电压逐渐增大，当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时，电压继续增大，则功率管VN2开始导通，多余的电流将通过此功率管泻放，从而增强了电路抗冲击能力；基准偏置电路是由一个恒流器件及VN4、VN5、VN3、R4组成的电流电源共同组成。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置电路 供电电路 漏电保护 瞬态冲击 功率管 集成电路 电路 集成电路设计 高脉冲电压 抗冲击能力 稳压二极管 电流冲击 电流电源 高压瞬态 恒流器件 回路组成 击穿电压 逐渐增大 导通 串联 | ||
【主权项】：
一种抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路，包括供电电路和基准偏置电路两部分，所述供电电路是由稳压二极管VD1、VD2、VD3和高压瞬态泻放回路组成，高压瞬态泄放回路包括功率管VN2、电阻VR1、VR2，基准偏置电路是由一个恒流器件及功率管VN4、VN5、VN3、电阻VR4组成的电流电源共同组成，恒流器件采用JFET管Q1；电阻VR1的一端与功率管VN2的集电极、JFET管Q1的漏极相连，另一端与稳压二极管VD1的阴极相连，稳压二极管VD1的阳极与稳压二极管VD2的阴极相连，稳压二极管VD2的阳极与稳压二极管VD3的阴极相连，稳压二极管VD3的阳极与功率管VN2的基极、电阻VR2的一端相连，电阻VR2的另一端与功率管VN2的发射极、JFET管Q1的栅极、功率管VN3的发射极、电阻VR4的一端相连，功率管VN3的基极和集电极均与功率管VN4的发射极相连，功率管VN4的集电极、基极、功率管VN5的基极均与JFET管Q1的源极相连，功率管VN5的发射极与电阻VR4的另一端相连；电路中电压逐渐增大，当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时，电压继续增大，则功率管VN2开始导通，多余的电流将通过此功率管VN2泻放，从而增强了电路抗冲击能力,功率管VN4、VN5、VN3、电阻VR4组成的电流源对电源的波动进一步起到对数衰减的作用。
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