[发明专利]一种实现均匀排气的等离子体处理装置

摘要

本发明公开了一种实现均匀排气的等离子体处理装置，包括至少两个等离子体处理腔室，每个所述等离子体处理腔室底部中心位置设置支撑基片的基座，每个所述等离子体处理腔室分别设有排气区域，所述排气通道互相连通；至少一个排气泵，与所述排气区域相连接；至少两个等离子体约束装置，分别环绕设置在所述基座的外围，所述等离子体约束装置包括一大致呈环状的导流主体和设置在所述导流主体上的若干气体通道，通过设置所述等离子体约束装置靠近所述排气泵一侧的所述气体通道长度大于等离子体约束装置其余部分的气体通道长度，以实现将用过的反应气体及副产物气体均匀的排出反应腔，保证等离子体处理区域内气流分布的均匀性，最终实现半导体基片刻蚀的均匀性。

主权项

1.一种实现均匀排气的等离子体处理装置，包括多个相邻排列的等离子体处理腔室及一共享的排气泵，每个所述等离子体处理腔室内设置一用于支撑基片的基座，每个所述等离子体处理腔室内环绕所述基座的外围设置一等离子体约束装置，每个所述等离子体约束装置下方设有排气区域；所述等离子体约束装置上设置若干气体通道，用于将气体排放至排气区域，其特征在于：所述多个等离子体处理腔室的排气区域至少部分相互邻近并且相互流体连通，以构成一相邻排气区域，所述共享的排气泵设置于所述相邻排气区域的下方，并同时与所述每一个等离子体处理腔室的排气区域相互流体连通；每个所述等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，所述第一区域为对应位于所述相邻排气区域上方的区域，所述第二区域为除所述第一区域之外的区域，每个所述等离子体约束装置的第一区域内的气体通道的长度大于所述第二区域的气体通道的长度，使得气体在经过所述第一区域内的气体通道时所用的时间大于气体经过所述第二区域内的气体通道时所用的时间；所述等离子体约束装置包括环绕所述气体通道设置的导流主体，所述导流主体具有两个平行的上表面和下表面，所述等离子体约束装置第一区域内的每条贯通所述导流主体的气体通道包括至少第一段气体通道和第二段气体通道，所述第一段气体通道和第二段气体通道相连通并在连接处形成一拐角；所述等离子体约束装置第二区域内的气体通道在贯穿所述导流主体的上下表面的方向上为长直通道。