[发明专利]晶圆级封装的制造方法有效
| 申请号： | 201410844697.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599980A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级封装的制造方法，包括以下步骤：在第一芯片上形成光刻胶；在光刻胶上形成多个开口部，露出第一芯片的功能面；在多个第一芯片的功能面上形成凸点下金属层；去除第一芯片上的光刻胶；将第二芯片的功能凸点与第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接；在第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；在第一芯片上的另一部分的凸点下金属层上植焊球，焊球的顶部高于第二芯片的顶部。本发明在第一芯片上形成凸点下金属层，一部分凸点下金属层上植焊球，另一部分上设置第二芯片，由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的焊球与第二芯片形成的高度差，在倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一芯片上形成光刻胶；在所述光刻胶上形成多个开口部，露出所述第一芯片的功能面；在多个第一芯片的功能面上形成凸点下金属层；去除第一芯片上的光刻胶；将所述第二芯片的功能凸点与第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接；在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；在所述第一芯片上的另一部分的所述凸点下金属层上植焊球，所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
