[发明专利]N型薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201410849258.9 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810586B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李关红;李群庆;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底表面形成一半导体碳纳米管层；形成间隔设置的一源极和一漏极，该源极和漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；形成一氧化镁层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；在所述氧化镁层远离所述半导体碳纳米管层的表面形成一功能介质层；以及，在所述功能介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体碳纳米管 功能介质层 表面形成 氧化镁层 基底 漏极 源极 绝缘 制备 绝缘基底表面 间隔设置 一氧化镁 层绝缘 电连接 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在所述绝缘基底表面形成一半导体碳纳米管层；形成间隔设置的一源极和一漏极，该源极和漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；形成一氧化镁层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；通过原子层沉积法在所述氧化镁层远离所述半导体碳纳米管层的表面形成一功能介质层，所述功能介质层用于对所述半导体碳纳米管层电子掺杂，并隔绝空气中的氧气和水分子；以及在所述功能介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410849258.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机冷却系统及其运转方法
- 下一篇：显微镜标记装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
