[发明专利]一种用于30微米精细线路的制作工艺在审
申请号: | 201410849439.1 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN104507264A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 丁云飞 | 申请(专利权)人: | 苏州福莱盈电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司32234 | 代理人: | 徐萍 |
地址: | 215000江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于30微米精细线路的制作工艺,包括以下步骤:(1)前处理;(2)压膜;(3)曝光;(4)显影;(5)蚀刻;(6)蚀刻补偿。通过上述方式,本发明用于30微米精细线路的制作工艺具有设计新颖、精细制作、生产效率稳定、合格率高等优点,在用于30微米精细线路的制作工艺的普及上有着广泛的市场前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 30 微米 精细 线路 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于30微米精细线路的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)前处理:选用9um的薄铜箔作为制作30um线宽的线距板,可以有效的降低蚀刻凹槽的深度,同时也降低水池效应,选取黑胶片菲林或者玻璃菲林,并选用厚度为12‑18微米的干膜;(2)压膜:使用湿压机进行压膜处理,水置换附着于铜面粗糙空间内的空气、塑化高分子光阻表面、与高分子光阻互溶,形成高分子的混合物,控制温度为90‑98℃、压力为4‑5kg、速率为1‑1.5m/min、水压为0.5‑1.0kg、水流量为40‑60cc/min;(3)曝光:采用平行曝光机进行曝光,设置曝光参数为30000mJ、能量尺设置在9‑11格;(4)显影:控制速率为3.5m/min、断点为40‑70%进行显影;(5)蚀刻:控制蚀刻断点大于85%、蚀刻因子为4‑6、保持整个线宽蚀刻的速率一致;(6)蚀刻补偿:(a)针对密集线路两最侧边的独立线,将该线路单边往外侧补偿至大于35微米,(b)针对密集线路引线拐角处,整体加大拐角处线宽至少5微米,(c)针对独立线细,将线宽补偿至大于35微米。
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