[发明专利]MOSFET被探测区探针数量计算方法及探针位置设计方法和探针卡生成方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET被探测区探针数量计算方法包括：根据现有MOSFET产品被探测区的尺寸特点创建数据库；设置探针与探针之间距离的最小值大于等于80um,探针与被探测区边缘的距离大于等于40um，当探针规格I_unit＝500ma时，探针针径为d＝55±5um，当探针规格I_unit＝1A时，探针针径为d＝100±5um；根据待测产品的测试电流，测试电压，确定栅区探针的数量N_gate和源区探针的数量N_source。本发明还公开了一种MOSFET被探测区探针位置设计方法和一种MOSFET被探测区探针卡生成方法。本发明的方法能针对各种MOSFET产品快速确定MOSFET被探测区探针数量，快速确定MOSFET被探测区探针位置，快速生成MOSFET被探测区探针卡。

主权项

一种MOSFET被探测区探针数量计算方法，其特征是，包括以下步骤：1)根据现有MOSFET产品被探测区的尺寸特点创建数据库，所述被探测区是源区和栅区；2)设置探针与探针之间距离的最小值大于等于80um,探针与被探测区边缘的距离大于等于40um，当探针规格I_unit＝500ma时，探针针径为d＝55±5um，当探针规格I_unit＝1A时，探针针径为d＝100±5um；3)根据待测产品的测试电流，测试电压，确定栅区探针的数量N_gate和源区探针的数量N_source；N_gate值根据栅区的尺寸、探针之间距离以及探针与被探测区边缘的距离确定，N_gate小于等于2；N_source＝A+B+C；A是源区施加电流和电压的探针数量，I_max/I_unit＝A，I_max是被测产品的最大测试电流，I_unit是探针材料的电流规格；B是余量探针数量,当I_unit的规格为500ma时，余量探针数为2；当I_unit的规格为1A时，余量探针数为1；C是感应电流和电压的探针数量；如果源区施加电流和电压的探针数量A小于等于2，感应电流和电压的探针数量C为1；如果源区施加电流和电压的探针数量A大于2小于等于8，感应电流和电压的探针数量C为2；如果源区施加电流和电压的探针数量A大于8小于等于20，感应电流和电压的探针数量C为4。